3端子SiC/GaN MOSFET用ソケット

2025年9月5日

インシュレーター形状の工夫により適切な沿面距離を確保する設計。高耐圧下の試験においてもデバイスへの効率的な電流供給と高精度な測定環境を実現します。ケルビン接続にも対応しており、次世代パワーデバイスの評価に最適なソケットで […]