4端子SiC/GaN MOSFET用ソケット

製品仕様・品番

		大電流＆高耐圧タイプ		高耐熱＆高耐圧タイプ
P/N		T4P-L214-ST-BK	T4P-L214-ST-BK-P	T4P-L214-ST-HT	T4P-L214-ST-HT-P
材質	インシュレータ	PPS Black	PEEK (Low Outgassing)	PPS Black	PEEK (Low Outgassing)
	コンタクト	Copper Alloy Au plating over Ni		Stainless Steel Au plating over Ni
挿抜耐久性		10,000 cycles*
接触抵抗		20 mΩ max		50 mΩ max
絶縁抵抗		500 MΩ min
耐電圧		DC4000V 1 minute at 25°C (DC5000V Max** ), AC3000Vrms 1minute at 25°C (Between Drain and Source)
使用温度範囲		-55°C~+175°C ***		-55°C~+220°C ***

* 弊社製作の試験用リードピンによる。
** DC5000Vまでのご採用実績がございます。別途ご相談下さい。
*** 通電時による温度上昇を含みます。

---

T-Rise Current Chart（参考値）

---